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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,長沙竹葉電子科技有限公司取得一項名為“反激開關(guān)電源和高頻變換器”的專利,授權(quán)公告號CN114884359B,申請日期為2022年4月。天眼查資料顯示,長沙竹葉電子科技有限公司,成立于2010年,位于長沙市,是一家以從事研究和試驗發(fā)展為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本1000萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析,長沙竹葉電子科技有限公司共對外投資了2家企業(yè),參與招投標項目30次,財產(chǎn)線索方面有商標信息3條,專利信息17條,此外企業(yè)還擁有行政許可2個。聲明:市場有風險,投資需謹慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成,僅供參考,不構(gòu)成個人投資建議。
查看 >>2026-03-04
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市鴻光盛業(yè)電子有限公司取得一項名為“一種對多點占空比調(diào)節(jié)的開關(guān)電源”的專利,授權(quán)公告號CN223928239U,申請日期為2025年3月。專利摘要顯示,本實用新型涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域,提出了一種對多點占空比調(diào)節(jié)的開關(guān)電源,包括開關(guān)電源主電路以及與其連接的功率矯正電路、輸出電壓調(diào)節(jié)電路和輸出穩(wěn)壓電路,開關(guān)電源主電路包括從交流輸入端到直流輸出端之間依次連接的電感LF1、電感LF2、整流器BD1、BD2、電感L2、電感L1、二極管D7、電阻NTR2和變壓器T1,變壓器T1的第一輸出端輸出直流電源,變壓器T1的第二輸出端通過開關(guān)管Q7接地。通過上述方案,提高了電源的電能利用效率、穩(wěn)壓精度和負載調(diào)整率,確保了在各種負載條件下都能提供穩(wěn)定可靠的直流電源輸出。天眼查資料顯示,深
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,廣州旭之源科技有限公司取得一項名為“一種集成磁件及開關(guān)電源”的專利,授權(quán)公告號CN120709051B,申請日期為2025年8月。天眼查資料顯示,廣州旭之源科技有限公司,成立于2024年,位于廣州市,是一家以從事計算機、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本1000萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析,廣州旭之源科技有限公司參與招投標項目16次,財產(chǎn)線索方面有商標信息9條,專利信息26條,此外企業(yè)還擁有行政許可2個。聲明:市場有風險,投資需謹慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成,僅供參考,不構(gòu)成個人投資建議。
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證券之星消息,根據(jù)天眼查APP數(shù)據(jù)顯示杰華特(688141)新獲得一項發(fā)明專利授權(quán),專利名為“線性穩(wěn)壓電路及開關(guān)電源”,專利申請?zhí)枮镃N202111308047.0,授權(quán)日為2026年2月17日。專利摘要:本發(fā)明公開了一種線性穩(wěn)壓電路及開關(guān)電源,該線性穩(wěn)壓電路包括:功率開關(guān)管及其驅(qū)動控制電路;電感,串聯(lián)在電壓輸出回路中;采樣電阻,用以對電壓輸出回路中的回路電流進行采樣;電壓調(diào)節(jié)電路,根據(jù)采樣電阻采樣獲得的回路電流調(diào)節(jié)功率開關(guān)管的柵極電壓以在電路中出現(xiàn)浪涌電流時控制所述功率開關(guān)管的開關(guān)狀態(tài),其中,當電路中出現(xiàn)浪涌電流時,電感用以降低電壓輸出回路中回路電流的變化速率。本發(fā)明能夠延長回路中浪涌電流的能量釋放時間,極大程度地減少了單位時間內(nèi)回路中的浪涌能量,在減小電路的回路阻抗的同時,還有效的滿足了
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市智安新能源科技有限公司申請一項名為“開關(guān)電源的拓撲控制方法、設(shè)備及存儲介質(zhì)”的專利,公開號CN121546929A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本申請?zhí)峁┝艘环N開關(guān)電源的拓撲控制方法、設(shè)備及存儲介質(zhì),該方法包括:采集開關(guān)電源的運行數(shù)據(jù);對運行數(shù)據(jù)進行卡爾曼濾波,獲得第一狀態(tài)數(shù)據(jù)和第二狀態(tài)數(shù)據(jù);根據(jù)第一狀態(tài)數(shù)據(jù)從預(yù)設(shè)模型庫中選擇對應(yīng)的動態(tài)模型,并辨識動態(tài)模型的模型參數(shù),以及計算動態(tài)模型的置信度;根據(jù)模型參數(shù)和第二狀態(tài)數(shù)據(jù),在預(yù)設(shè)的預(yù)測時域內(nèi)建立多目標優(yōu)化函數(shù),求解多目標優(yōu)化函數(shù),獲得目標控制序列;根據(jù)目標控制序列調(diào)整開關(guān)電源的控制占空比,并檢測對應(yīng)的電感電流的過零時刻,根據(jù)過零時刻計算同步整流管的目標導通相位;根據(jù)目標導通相位生成主開關(guān)管的第一驅(qū)動信
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高壓線束進口報關(guān)清關(guān)操作流程/清關(guān)資料通關(guān)指南進口怎么報關(guān)?
高壓線束(汽車 / 工業(yè)用,電壓>1000V)上??诎兑话阗Q(mào)易進口清關(guān),核心是 “鎖定 HS 8544601200/8544601300+3C 合規(guī) + 法檢前置 + 單證完整”,標準時效 5–7 個工作日(不含查驗 / 補件),以下為可直接落地的清單化流程與合規(guī)要點:一、核心歸類與監(jiān)管條件(上海口岸適用)項目 內(nèi)容 監(jiān)管要點HS 編碼 8544601200(1kV<額定電壓≤35kV);8544601300(35kV<≤110kV) 按銘牌額定電壓 / 結(jié)構(gòu) / 用途歸類,避免稅率與監(jiān)管錯配監(jiān)管條件 A(入境通關(guān)單)、L(3C 認證)、M(進口商品檢驗) 先辦 3C / 免辦 + 法檢,再報關(guān);新能源汽車高壓線束多屬 3C 目錄稅費基準 最惠國關(guān)稅 8%–10%,增值稅 13%;CIF 價
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重合閘核心判斷邏輯是 “控制開關(guān)與斷路器位置不對應(yīng)”(開關(guān)在合閘位但斷路器實際斷開),需結(jié)合故障類型、保護動作與設(shè)備狀態(tài)綜合判定,瞬時性故障允許重試,永久性故障及特定工況必須禁止。一、重合閘的判斷邏輯與啟動條件二、允許重合閘(重試)的情況三、必須禁止重合閘的情況(閉鎖條件)四、快速判定與操作要點五、總結(jié)重合閘是提高供電可靠性的重要手段,但必須嚴格按 “位置不對應(yīng) + 故障類型 + 設(shè)備狀態(tài)” 判定:瞬時性故障允許重試,永久性故障及人為操作、保護閉鎖、設(shè)備異常等工況必須禁止,避免設(shè)備損壞與電網(wǎng)風險。
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請一項名為“一種控制方法、芯片、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備”的專利,公開號CN121254685A,申請日期為2025年9月。專利摘要顯示,本申請實施例提供了一種控制方法,包括:接收第二設(shè)備發(fā)出的芯片控制指令,從所述芯片控制指令的位置地址中獲取位置控制指令和控制使能指令;基于所述位置控制指令和所述控制使能指令,控制所述第一設(shè)備同時進入位置控制模式和控制使能模式。本申請實現(xiàn)了提高通訊效率,保證多個芯片的協(xié)同操作,避免不同控制指令之間不同步產(chǎn)生導致預(yù)期之外的不穩(wěn)定控制。天眼查資料顯示,上海艾為電子技術(shù)股份有限公司,成立于2008年,位于上海市,是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本23312.8636萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析,
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配電房的停、送電順序及送電操作流程
配電房又叫配電所,在國家標準里面,配電所的定義是:“所內(nèi)只有起開閉和分配電能作用的高壓配電裝置,母線上無主變壓器”。配電所與變電所的區(qū)別在于,配電房(配電所)無變壓器,而變電所有變壓器。而配電房送電時,一般應(yīng)從電源側(cè)的開關(guān)合起,依次合到負荷側(cè)開關(guān)。按這種程序操作,可使開關(guān)的閉合電流減至最小,比較安全;萬一某部分存在故障,也容易發(fā)現(xiàn)。那么配電房的停、送電順序是什么?送電操作流程又是怎樣的一個情況呢?下面本文詳細地給大家講一講,看文章希望能給廣大電氣人員一些參考。最重要的是停、送電的順序千萬不能弄錯:停、送電順序:停電時,先停低壓,后停高壓。停低壓時,先停低壓各支路開關(guān),后停低壓總開關(guān),還應(yīng)先停控制回路,后停主回路。送電時順序相反。停高壓時,先停斷路器,后拉隔離開關(guān)。高壓進線有雙隔離開關(guān)的,先拉
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,芯瞳半導體技術(shù)(廈門)有限公司申請一項名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計方法及多核芯片”的專利,公開號CN121351726A,申請日期為2025年12月。專利摘要顯示,本公開涉及半導體設(shè)計與制造的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組,不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組;通過讀取多核芯片上至少一個計算核心的缺陷狀態(tài),可以確定出計算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性;在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時,配置計算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組,同時保持計算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運行狀態(tài),不影響計算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路
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