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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,陜西亞成微電子股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“應(yīng)用于智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片的可選擇升壓電路”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121508511A,申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種應(yīng)用于智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片的可選擇升壓電路,智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片包括引腳IN、功率管以及分別與引腳IN和功率管連接的電壓變化率控制模塊,可選擇升壓電路包括:可選擇電壓倍增模塊,其具有輸入端和輸出端,輸入端連接至智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片的引腳IN,輸出端連接至電壓變化率控制模塊;可選擇電壓倍增模塊,用于檢測(cè)引腳IN的輸入電壓值,并基于輸入電壓值進(jìn)行升壓控制,得到目標(biāo)電壓,并將目標(biāo)電壓輸出至功率管,以使功率管的內(nèi)阻小于預(yù)設(shè)閾值,從而顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,提高智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片的效率與可靠性。天眼查資料顯示,陜西亞成微電子
查看 >>2026-03-04
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,河南平高電氣股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開(kāi)關(guān)”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121528788A,申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示,本發(fā)明涉及一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開(kāi)關(guān),屬于柱上負(fù)荷開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,包括:固定板、主軸A、主軸B、輪軸、地軸C、地軸D、主凸輪、主桿、地凸輪、地桿、主鎖板及地鎖板,先利用主凸輪的外輪面與主桿的頂端滑動(dòng)接觸,由于地鎖板固定在主桿上,可以在轉(zhuǎn)動(dòng)主軸B啟閉負(fù)荷開(kāi)關(guān)的同時(shí),聯(lián)動(dòng)地鎖板向下移動(dòng),使地鎖板的地鎖孔鎖止地軸C,實(shí)現(xiàn)負(fù)荷開(kāi)關(guān)分合閘時(shí),接地開(kāi)關(guān)無(wú)法操作;后利用地凸輪的外輪面與主鎖板底端接觸,由于地桿的頂端鉸接在地凸輪上且其底端通過(guò)拐臂固定在地軸D上,可以在轉(zhuǎn)動(dòng)地軸D啟閉接地開(kāi)關(guān)的同時(shí),聯(lián)動(dòng)主鎖板向
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,吉安伊戈?duì)栯姎庥邢薰救〉靡豁?xiàng)名為“一種高效多輸出開(kāi)關(guān)電源”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN223928238U,申請(qǐng)日期為2025年1月。專利摘要顯示,本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種高效多輸出開(kāi)關(guān)電源,包括至少兩個(gè)模擬式恒流輸出模塊;高效原邊回路和變壓器T1的原邊繞組電連接,變壓器T1的副邊繞組和副邊濾波模塊電連接,副邊濾波模塊分別與模擬式恒流輸出模塊電連接;微控制器分別與模擬式恒流輸出模塊電連接,使其接收微控制器的PWM信號(hào)和保護(hù)動(dòng)作信號(hào);變壓器T1的副邊輔助繞組分別與模擬式恒流輸出模塊電連接,為模擬式恒流輸出模塊提供降壓偏壓電源;第一、第二檢測(cè)模塊分別電連接于模擬式恒流輸出模塊和微控制器之間以及副邊濾波模塊和微控制器之間,用于信號(hào)反饋;解決了設(shè)多個(gè)輸出的開(kāi)關(guān)電
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,蘇州力生美半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開(kāi)關(guān)電源副邊導(dǎo)通時(shí)間的檢測(cè)方法和電路”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121508325A,申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供了一種開(kāi)關(guān)電源副邊導(dǎo)通時(shí)間的檢測(cè)方法和電路。該檢測(cè)方法包括檢測(cè)所述開(kāi)關(guān)電源副邊的導(dǎo)通起始時(shí)刻;在所述起始時(shí)刻后延遲第一預(yù)設(shè)時(shí)間,得到延遲起始時(shí)刻;檢測(cè)開(kāi)關(guān)電源輔助繞組的電壓VS下降至預(yù)設(shè)參考電壓的時(shí)刻,并作為所述開(kāi)關(guān)電源副邊的導(dǎo)通結(jié)束時(shí)刻;將所述延遲起始時(shí)刻和所述導(dǎo)通結(jié)束時(shí)刻之間的時(shí)間間隔作為所述開(kāi)關(guān)電源副邊的導(dǎo)通時(shí)間。本發(fā)明通過(guò)引入延遲起始時(shí)刻的檢測(cè)方式,確保導(dǎo)通時(shí)間的測(cè)量更加準(zhǔn)確和一致。該方法簡(jiǎn)化了檢測(cè)電路設(shè)計(jì),提高了測(cè)量的穩(wěn)定性和可靠性,有助于提升開(kāi)關(guān)電源恒流控制的精度和系統(tǒng)整體性能,適用于多
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高壓放大器如何助力半導(dǎo)體測(cè)試
高壓放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色,它將測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓,以滿足各種嚴(yán)苛的測(cè)試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測(cè)試場(chǎng)景中的具體作用以及需求。介電擊穿測(cè)試:對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高(可達(dá)±20kV)的直流或掃描電壓,分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求:高輸出電壓、低噪聲(<100μVrms)、精確的電壓控制。芯片老化測(cè)試(如功率器件):施加高于正常工作電壓的應(yīng)力,加速芯片老化,以評(píng)估其長(zhǎng)期可靠性。需求:高電壓/電流輸出、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、良好的過(guò)溫與過(guò)流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)(MEMS傳感器):驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件,實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求:能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流(峰值可達(dá)百mA級(jí))、四象限輸出。晶體管參數(shù)測(cè)試:為
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掌握高壓假負(fù)載測(cè)試方法:有效保障電力設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性與能耗控制
掌握高壓假負(fù)載測(cè)試方法:有效保障電力設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性與能耗控制大功率高壓發(fā)電機(jī)組滿負(fù)荷測(cè)試時(shí),產(chǎn)生的熱量足以考驗(yàn)任何負(fù)載柜的耐壓能力,而一套科學(xué)的測(cè)試方法卻能化險(xiǎn)為夷。在電力保障系統(tǒng)中,應(yīng)急發(fā)電機(jī)組被視為“最后一棵救命稻草”。然而,這些設(shè)備長(zhǎng)期處于待機(jī)狀態(tài),僅依靠日??蛰d測(cè)試難以評(píng)估其真實(shí)帶載能力。假負(fù)載測(cè)試技術(shù)通過(guò)模擬各種功率負(fù)載條件,對(duì)發(fā)電機(jī)組、UPS、高壓電源等設(shè)備的輸出功率與帶載能力進(jìn)行精確檢測(cè),成為保障電力設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵手段。隨著高壓發(fā)電機(jī)組輸出電壓達(dá)到萬(wàn)伏級(jí)別,對(duì)負(fù)載柜的耐壓能力提出極高要求,掌握高壓假負(fù)載測(cè)試方法已成為電力維護(hù)人員的必備技能。 01 高壓假負(fù)載的測(cè)試原理假負(fù)載,顧名思義,是一種替代真實(shí)負(fù)載的電子設(shè)備,用于模擬實(shí)際運(yùn)行條件下電力設(shè)備的輸出特性。電子假負(fù)載通過(guò)功率
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鍵德測(cè)試測(cè)量|選擇高壓探針臺(tái)的原因是什么?
在半導(dǎo)體測(cè)試、功率器件研究及高壓電子元件開(kāi)發(fā)等領(lǐng)域,高壓探針臺(tái)扮演著不可或缺的角色。與普通探針臺(tái)相比,高壓探針臺(tái)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、安全性能和測(cè)試能力上具有顯著優(yōu)勢(shì),能夠滿足高壓環(huán)境下的精密測(cè)試需求,下面鍵德測(cè)試測(cè)量小編就來(lái)詳細(xì)介紹下選擇高壓探針臺(tái)的原因。選擇高壓探針臺(tái)的原因如下:一、滿足高壓測(cè)試需求高壓探針臺(tái)專為高電壓環(huán)境下的測(cè)試而設(shè)計(jì),能夠承受數(shù)百伏甚至數(shù)千伏的電壓,而普通探針臺(tái)通常僅適用于低壓測(cè)試。在功率半導(dǎo)體(如IGBT、MOSFET、SiC器件等)的研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中,器件往往需要在高壓條件下進(jìn)行性能評(píng)估,例如擊穿電壓測(cè)試、漏電流測(cè)試及耐壓特性分析。高壓探針臺(tái)通過(guò)其特殊設(shè)計(jì)的絕緣結(jié)構(gòu)和高壓接口,確保測(cè)試過(guò)程中的信號(hào)穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性,是高壓器件測(cè)試的理想選擇。二、保障測(cè)試安全高壓測(cè)試環(huán)境對(duì)設(shè)
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高壓功率放大器在ESR(等效串聯(lián)電阻)測(cè)試中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。以下是其具體應(yīng)用和助力方式:1.提供高功率信號(hào)在測(cè)試大容量電容或高電壓電容時(shí),需要高功率信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)電容。高壓功率放大器能夠?qū)⑿盘?hào)發(fā)生器產(chǎn)生的低功率信號(hào)放大到足夠高的功率水平,確保電容能夠正常工作并進(jìn)行測(cè)試。2.精確控制測(cè)試信號(hào)高壓功率放大器可以精確控制輸出信號(hào)的幅值、頻率和相位,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電容的精確測(cè)試。通過(guò)調(diào)節(jié)高壓功率放大器的輸出,可以模擬不同的工作條件,評(píng)估電容在各種條件下的性能。圖:基于功率放大器的電容ESR測(cè)試3.提高測(cè)量精度高壓功率放大器能夠提供穩(wěn)定且精確的信號(hào),從而提高測(cè)量的精度和可靠性。在高精度電容測(cè)試中,高壓功率放大器的低噪聲和高線性度特性可以有效減少測(cè)量誤差。4.加速測(cè)試過(guò)程高壓功率放大器的高效信號(hào)輸出可以加
查看 >>2026-03-04
利用PKC6100A交直流電流探頭測(cè)試開(kāi)關(guān)電源冷啟動(dòng)峰值電流
在開(kāi)關(guān)電源性能評(píng)估體系中,冷啟動(dòng)峰值電流是核心關(guān)鍵指標(biāo)之一,其直接表征電源長(zhǎng)期斷電后首次啟動(dòng)瞬間的電流沖擊特性。精準(zhǔn)測(cè)量該參數(shù),是保障電源本體及周邊關(guān)聯(lián)電路安全穩(wěn)定運(yùn)行的重要前提。本文將系統(tǒng)闡述如何利用普科科技PKC6100A交直流電流探頭,實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源冷啟動(dòng)峰值電流的高精度測(cè)試。一、測(cè)試原理概述開(kāi)關(guān)電源的冷啟動(dòng),特指其經(jīng)過(guò)足夠時(shí)長(zhǎng)斷電(通常不低于30分鐘),內(nèi)部電容等儲(chǔ)能元件完全放電后,首次接入供電電源的啟動(dòng)過(guò)程。啟動(dòng)瞬間,輸入電容需快速完成充電,同時(shí)啟動(dòng)電路同步啟動(dòng),在此雙重作用下會(huì)產(chǎn)生短時(shí)大電流,即冷啟動(dòng)峰值電流。該電流持續(xù)時(shí)間極短,通常處于幾十至幾百微秒量級(jí),因此必須采用具備高帶寬與快速響應(yīng)能力的測(cè)量設(shè)備才能精準(zhǔn)捕獲——普科科技PKC6100A交直流電流探頭恰好契合這一測(cè)試需求。其核
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