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國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，國網(wǎng)上海市電力公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“考慮V2G充電樁無功需求響應(yīng)的充電站分層優(yōu)化方法、設(shè)備及介質(zhì)”的專利，公開號(hào)CN121332587A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種考慮V2G充電樁無功需求響應(yīng)的充電站分層優(yōu)化方法、設(shè)備及介質(zhì)，將充電需求輸入電動(dòng)汽車分組模型中得到若干分組，在上層優(yōu)化模型中以充電成本最小化為目標(biāo)進(jìn)行求解，得到最優(yōu)充放電功率和無功功率范圍；在下層優(yōu)化模型中以配電網(wǎng)節(jié)點(diǎn)整體電壓偏差最小為目標(biāo)進(jìn)行求解，得到各充電站的無功補(bǔ)償量，再根據(jù)上層優(yōu)化模型得到的最優(yōu)充放電功率，計(jì)算配電網(wǎng)節(jié)點(diǎn)電壓變化狀態(tài)方程，進(jìn)行電壓變化預(yù)測。通過V2G充電樁的剩余容量對(duì)充電站所在的配電網(wǎng)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行無功補(bǔ)償，提高配電網(wǎng)整體電壓質(zhì)量。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有協(xié)同性高

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華北電力大學(xué);國網(wǎng)福建省電力有限公司電力科學(xué)研究院;國網(wǎng)福建省電力有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置”的專利，公開號(hào)CN121355892A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開了一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置，涉及新能源并網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括計(jì)算直流送出系統(tǒng)的送端交流母線的直流電流可行域，在換相失敗情況下，在所述直流電流可行域的約束下，輸出直流電流指令；所述直流送出系統(tǒng)包括換相失敗情況和正常工況兩種情況；構(gòu)建新能源二階滑模無功控制策略；在換相失敗情況下，采用所述新能源二階滑模無功控制策略對(duì)所述新能源并網(wǎng)逆變器的電流分量、直流側(cè)電壓和無功功率指令值進(jìn)行控制，本申請(qǐng)可降低了送端的無功冗余，抑制了

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，芯瞳半導(dǎo)體技術(shù)（廈門）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片”的專利，公開號(hào)CN121351726A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個(gè)計(jì)算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計(jì)算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時(shí)，配置計(jì)算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組，同時(shí)保持計(jì)算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運(yùn)行狀態(tài)，不影響計(jì)算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

高壓放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高（可達(dá)±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評(píng)估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)（MEMS傳感器）：驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件，實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求：能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流（峰值可達(dá)百mA級(jí)）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試：為

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專利，公開號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號(hào)選擇模