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國家知識產權局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術領域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設接口發(fā)送裝置，外設接口發(fā)送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內部嵌入有協(xié)議轉換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調試手段，可以對傳統(tǒng)調測方案進行補充或替

國家知識產權局信息顯示，國網(wǎng)上海市電力公司申請一項名為“考慮V2G充電樁無功需求響應的充電站分層優(yōu)化方法、設備及介質”的專利，公開號CN121332587A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種考慮V2G充電樁無功需求響應的充電站分層優(yōu)化方法、設備及介質，將充電需求輸入電動汽車分組模型中得到若干分組，在上層優(yōu)化模型中以充電成本最小化為目標進行求解，得到最優(yōu)充放電功率和無功功率范圍；在下層優(yōu)化模型中以配電網(wǎng)節(jié)點整體電壓偏差最小為目標進行求解，得到各充電站的無功補償量，再根據(jù)上層優(yōu)化模型得到的最優(yōu)充放電功率，計算配電網(wǎng)節(jié)點電壓變化狀態(tài)方程，進行電壓變化預測。通過V2G充電樁的剩余容量對充電站所在的配電網(wǎng)節(jié)點進行無功補償，提高配電網(wǎng)整體電壓質量。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有協(xié)同性高

國家知識產權局信息顯示，華北電力大學;國網(wǎng)福建省電力有限公司電力科學研究院;國網(wǎng)福建省電力有限公司申請一項名為“一種新能源經直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置”的專利，公開號CN121355892A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本申請公開了一種新能源經直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置，涉及新能源并網(wǎng)技術領域，該方法包括計算直流送出系統(tǒng)的送端交流母線的直流電流可行域，在換相失敗情況下，在所述直流電流可行域的約束下，輸出直流電流指令；所述直流送出系統(tǒng)包括換相失敗情況和正常工況兩種情況；構建新能源二階滑模無功控制策略；在換相失敗情況下，采用所述新能源二階滑模無功控制策略對所述新能源并網(wǎng)逆變器的電流分量、直流側電壓和無功功率指令值進行控制，本申請可降低了送端的無功冗余，抑制了

國家知識產權局信息顯示，芯瞳半導體技術（廈門）有限公司申請一項名為“多核芯片的操作方法、設計方法及多核芯片”的專利，公開號CN121351726A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導體設計與制造的技術領域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設計方法及多核芯片。本公開的技術方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個計算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計算核心內可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時，配置計算核心內的控制寄存器關閉第一邏輯分組，同時保持計算核心內不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運行狀態(tài)，不影響計算核心的功能電路邏輯。該技術方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

高壓放大器在半導體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設備產生的微弱控制信號精準放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應力，加速芯片老化，以評估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅動（MEMS傳感器）：驅動微機電系統(tǒng)中的壓電元件，實現(xiàn)精密運動或傳感。需求：能夠驅動容性負載、高輸出電流（峰值可達百mA級）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試：為

國家知識產權局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘栆约靶盘栠x擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?；根?jù)第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模