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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市智安新能源科技有限公司申請一項名為“開關(guān)電源的拓撲控制方法、設(shè)備及存儲介質(zhì)”的專利,公開號CN121546929A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本申請?zhí)峁┝艘环N開關(guān)電源的拓撲控制方法、設(shè)備及存儲介質(zhì),該方法包括:采集開關(guān)電源的運行數(shù)據(jù);對運行數(shù)據(jù)進行卡爾曼濾波,獲得第一狀態(tài)數(shù)據(jù)和第二狀態(tài)數(shù)據(jù);根據(jù)第一狀態(tài)數(shù)據(jù)從預(yù)設(shè)模型庫中選擇對應(yīng)的動態(tài)模型,并辨識動態(tài)模型的模型參數(shù),以及計算動態(tài)模型的置信度;根據(jù)模型參數(shù)和第二狀態(tài)數(shù)據(jù),在預(yù)設(shè)的預(yù)測時域內(nèi)建立多目標優(yōu)化函數(shù),求解多目標優(yōu)化函數(shù),獲得目標控制序列;根據(jù)目標控制序列調(diào)整開關(guān)電源的控制占空比,并檢測對應(yīng)的電感電流的過零時刻,根據(jù)過零時刻計算同步整流管的目標導(dǎo)通相位;根據(jù)目標導(dǎo)通相位生成主開關(guān)管的第一驅(qū)動信
查看 >>2026-03-04
高壓放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色,它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號精準放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓,以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關(guān)鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試:對芯片的絕緣層施加從低到高(可達±20kV)的直流或掃描電壓,分析其絕緣失效的臨界點。需求:高輸出電壓、低噪聲(<100μVrms)、精確的電壓控制。芯片老化測試(如功率器件):施加高于正常工作電壓的應(yīng)力,加速芯片老化,以評估其長期可靠性。需求:高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅(qū)動(MEMS傳感器):驅(qū)動微機電系統(tǒng)中的壓電元件,實現(xiàn)精密運動或傳感。需求:能夠驅(qū)動容性負載、高輸出電流(峰值可達百mA級)、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試:為
查看 >>2026-03-04
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市杰和科技發(fā)展有限公司申請一項名為“POP音消除電路”的專利,公開號CN121442247A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種POP音消除電路,電路包括信號源輸出端、控制線路、音頻芯片及音頻輸出設(shè)備,控制線路的第一端與信號源輸出端連接,控制線路的第二端分別與音頻芯片及音頻輸出設(shè)備連接;控制線路包括驅(qū)動控制電路及音頻輸出電路,驅(qū)動控制電路包括至少一個PMOS管,音頻輸出電路包括至少一個NMOS管,PMOS管的柵極作為控制線路的第一端,PMOS管的漏極接地,PMOS管的源極同時與第一供電端及NMOS管的柵極連接,NMOS管的源極接地,NMOS管的漏極作為控制線路的第二端。本發(fā)明的POP音消除電路通過PMOS管與NMOS管的協(xié)同控制,精準避開開
查看 >>2026-03-04
 
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