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未來(lái)，智能手機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)周超長(zhǎng)待機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)傳感器電池續(xù)航數(shù)年、可穿戴設(shè)備告別頻繁充電，這些曾被視為科幻場(chǎng)景的愿景，正隨著一項(xiàng)顛覆性技術(shù)突破加速成為現(xiàn)實(shí)。北京大學(xué)電子學(xué)院科研團(tuán)隊(duì)近日宣布，成功研制出全球首款“納米柵超低功耗鐵電晶體管”，這項(xiàng)被國(guó)際學(xué)術(shù)界評(píng)價(jià)為“四兩撥千斤”的創(chuàng)新成果，為解決芯片能耗難題開(kāi)辟了全新路徑。傳統(tǒng)芯片架構(gòu)中，存儲(chǔ)與計(jì)算模塊的物理分離導(dǎo)致數(shù)據(jù)頻繁搬運(yùn)，如同廚師烹飪時(shí)需反復(fù)往返倉(cāng)庫(kù)取調(diào)料，既浪費(fèi)時(shí)間又消耗能量。研究團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人邱晨光研究員指出，鐵電晶體管雖具備“存算一體”特性——既能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)又可進(jìn)行計(jì)算，且斷電后信息不丟失，但其高操作電壓導(dǎo)致的巨大功耗始終制約著實(shí)際應(yīng)用。此次突破的關(guān)鍵在于，團(tuán)隊(duì)將晶體管核心部件柵極尺寸壓縮至1納米級(jí)別。這個(gè)尺寸相當(dāng)于將頭發(fā)絲直徑（約8萬(wàn)至10萬(wàn)納
查看 >>2026-03-03
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，國(guó)網(wǎng)上海市電力公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“戶外全封閉小型高壓隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)智能控制方法及系統(tǒng)”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121530004A，申請(qǐng)日期為2026年1月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了戶外全封閉小型高壓隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)智能控制方法及系統(tǒng)，涉及智能控制系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：通過(guò)邊緣感知層的多源傳感監(jiān)測(cè)陣列采集目標(biāo)開(kāi)關(guān)在歷史時(shí)區(qū)內(nèi)的歷史開(kāi)關(guān)運(yùn)行數(shù)據(jù)序列集，其中，目標(biāo)開(kāi)關(guān)為戶外全封閉小型高壓隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)；利用長(zhǎng)短時(shí)記憶網(wǎng)絡(luò)，根據(jù)歷史開(kāi)關(guān)運(yùn)行數(shù)據(jù)序列集預(yù)測(cè)獲取預(yù)設(shè)時(shí)區(qū)內(nèi)的預(yù)測(cè)開(kāi)關(guān)運(yùn)行數(shù)據(jù)序列集；基于預(yù)測(cè)開(kāi)關(guān)運(yùn)行數(shù)據(jù)序列集，以最小化線路損耗、故障停電分鐘數(shù)、電壓越限時(shí)間和電壓暫降次數(shù)為多尋優(yōu)目標(biāo)，對(duì)目標(biāo)開(kāi)關(guān)的控制參數(shù)進(jìn)行迭代優(yōu)化搜索，確定適配控制策略，并按照適配控制策略在所述預(yù)設(shè)時(shí)區(qū)內(nèi)對(duì)
查看 >>2026-03-03
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121530358A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備，其中開(kāi)關(guān)電路包括：功率管，所述功率管的輸入端與芯片的外部電源連接，所述功率管的輸出端與芯片內(nèi)的負(fù)載單元連接；多個(gè)放電電路，所述放電電路包括放電單元和檢測(cè)單元，所述放電單元的輸入端與所述功率管的控制端連接，所述檢測(cè)單元輸出端與所述放電單元的控制端連接；所述檢測(cè)單元檢測(cè)到預(yù)定的電路異常時(shí)，向所述放電單元的控制端輸出控制信號(hào)，控制所述放電單元按照設(shè)定的放電模式對(duì)所述功率管的控制端進(jìn)行放電；多個(gè)所述放電電路中，至少兩個(gè)所述放電電路通過(guò)所述檢測(cè)單元檢測(cè)的電路異
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江英能電子科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121530363A，申請(qǐng)日期為2026年1月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，包括：輸入級(jí)電路，基于輸入信號(hào)的控制為圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端充電或放電；圖騰柱結(jié)構(gòu)電路，輸出預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓，預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓源跟隨圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入電壓；第一比較器，產(chǎn)生第一比較結(jié)果；第二比較器，產(chǎn)生第二比較結(jié)果；上拉電路，受控于第一比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的升高；下拉電路，受控于第二比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的下降；電容，連接在圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)自適應(yīng)外置功率管的輸入電容，改善外置功率管開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的EMI問(wèn)題，工作效率高且
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，河南平芝高壓開(kāi)關(guān)有限公司取得一項(xiàng)名為“一種斷路器裝配工裝”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223927252U，申請(qǐng)日期為2024年12月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型提供了一種斷路器裝配工裝，屬于專門適用于制造電開(kāi)關(guān)的專用設(shè)備或方法技術(shù)領(lǐng)域。斷路器裝配工裝包括底座，底座上裝有支撐板，支撐板用于支撐其中一個(gè)法蘭且支撐板上設(shè)有用于使法蘭與支撐板同軸的第一定位結(jié)構(gòu)，底座上固定有導(dǎo)桿，導(dǎo)桿上安裝有活動(dòng)件，活動(dòng)件上裝有定位板，定位板上設(shè)有用于對(duì)另外一個(gè)法蘭進(jìn)行定位以使法蘭與定位板同軸的第二定位結(jié)構(gòu)，支撐板相對(duì)底座的水平位置可調(diào)或/和定位板相對(duì)活動(dòng)件的水平位置可調(diào)，支撐板或底座上以及定位板或活動(dòng)件上設(shè)有用于使支撐板和定位板同軸的第三定位結(jié)構(gòu)。通過(guò)本實(shí)用新型的裝配工裝可以間接定位固定部法蘭和可
查看 >>2026-03-03
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，西安西電高壓開(kāi)關(guān)有限責(zé)任公司、中國(guó)西電電氣股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種密封端子板氣密性檢測(cè)裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223925947U，申請(qǐng)日期為2025年4月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及領(lǐng)域，尤其涉及一種密封端子板氣密性檢測(cè)裝置，包括上部密封結(jié)構(gòu)、下部密封結(jié)構(gòu)、上注氣管路和下注氣管路；上部密封結(jié)構(gòu)包括上外部套筒和布置于上外部套筒中多個(gè)上內(nèi)部套筒；下部密封結(jié)構(gòu)包括下外部套筒和布置于下外部套筒中的多個(gè)下內(nèi)部套筒；待測(cè)密封端子板懸空水平放置于下內(nèi)部套筒中，下內(nèi)部套筒與上內(nèi)部套筒配合壓緊待測(cè)密封端子板；下注氣管路的一端與外部汽源連通，另一端與下密封外部腔體、多個(gè)下內(nèi)部套筒連通。本實(shí)用新型中上下密封結(jié)構(gòu)通過(guò)外部套筒與內(nèi)部套筒形成雙重密封腔體，結(jié)合上下注氣管路獨(dú)立供氣，
查看 >>2026-03-03
1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)
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全球高壓電磁閥市場(chǎng)呈現(xiàn)穩(wěn)定增長(zhǎng)趨勢(shì)，發(fā)展前景好
來(lái)源：貝哲斯咨詢高壓電磁閥是一種電磁控制裝置，用于控制高壓流體或氣體的流動(dòng)。它由電磁鐵和閥體組成，通過(guò)電磁鐵的電磁力作用，控制閥體的開(kāi)啟和關(guān)閉，從而控制流體或氣體的通斷。高壓電磁閥通常用于工業(yè)領(lǐng)域，如石油化工、電力、冶金等行業(yè)，用于控制高壓管道中的流體或氣體的流動(dòng)，實(shí)現(xiàn)流量調(diào)節(jié)、流向控制、壓力控制等功能。高壓電磁閥具有以下特點(diǎn)：高壓能力：能夠承受較高的壓力，通常在幾百至幾千帕的范圍內(nèi)?？焖夙憫?yīng)：電磁線圈通電或斷電后，閥芯能夠迅速響應(yīng)并實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)或調(diào)節(jié)控制可靠性：采用高質(zhì)量的材料和制造工藝，具有較高的可靠性和耐久性。精確控制：能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)流體或氣體的精確控制，滿足不同應(yīng)用的需求。高壓電磁閥產(chǎn)業(yè)鏈分析原材料供應(yīng)：高壓電磁閥的制造需要使用各種金屬材料、塑料、橡膠等原材料。這些原材料的供應(yīng)商包括礦產(chǎn)開(kāi)采
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2026年倒裝芯片市場(chǎng)分析報(bào)告|國(guó)內(nèi)外行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)
倒裝芯片市場(chǎng)調(diào)研報(bào)告從過(guò)去五年的市場(chǎng)發(fā)展態(tài)勢(shì)進(jìn)行總結(jié)分析，合理的預(yù)估了倒裝芯片市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)趨勢(shì)，2025年全球倒裝芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2512.34億元（人民幣），中國(guó)倒裝芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)762.75億元。報(bào)告預(yù)測(cè)到2032年全球倒裝芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)352.61億元，2025至2032期間年均復(fù)合增長(zhǎng)率為-24.46%。報(bào)告依次分析了Nepes, Intel Corporation, Samsung Group, Global Foundries, Powertech Technology, ASE Group, STATS ChipPAC, STMicroelectronics, Texas Instruments, United Microelectronics, Taiwan Semicond
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來(lái)源：界面新聞截至2026年1月21日 11:11，上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計(jì)主題指數(shù)(950162)強(qiáng)勢(shì)上漲5.48%，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF易方達(dá)(589030)一度漲超6%，現(xiàn)漲5.46%，盤中換手32.78%，成交9733.35萬(wàn)元，市場(chǎng)交投活躍。消息面上，國(guó)務(wù)院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會(huì)，請(qǐng)工業(yè)和信息化部相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹2025年工業(yè)和信息化發(fā)展成效以及下一步部署。他表示，下一步，我們將抓好技術(shù)創(chuàng)新，加快突破訓(xùn)練芯片、異構(gòu)算力等關(guān)鍵技術(shù)。抓好融合應(yīng)用，聚焦軟件編程、新材料研發(fā)、醫(yī)藥研發(fā)、信息通信等行業(yè)領(lǐng)域，體系化推動(dòng)大小模型、智能體實(shí)現(xiàn)突破。AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，推動(dòng)先進(jìn)制程技術(shù)加速迭代。財(cái)通證券指出，臺(tái)積電2025年第四季度營(yíng)收創(chuàng)歷史新高，先進(jìn)制程（7nm及以下）營(yíng)收占比提升至77%，其中3nm
查看 >>2026-03-03
 
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