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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請一項名為“一種控制方法、芯片、存儲介質(zhì)及電子設備”的專利，公開號CN121254685A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本申請實施例提供了一種控制方法，包括：接收第二設備發(fā)出的芯片控制指令，從所述芯片控制指令的位置地址中獲取位置控制指令和控制使能指令；基于所述位置控制指令和所述控制使能指令，控制所述第一設備同時進入位置控制模式和控制使能模式。本申請實現(xiàn)了提高通訊效率，保證多個芯片的協(xié)同操作，避免不同控制指令之間不同步產(chǎn)生導致預期之外的不穩(wěn)定控制。天眼查資料顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本23312.8636萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，國網(wǎng)河南省電力公司電力科學研究院、河海大學、國網(wǎng)河南省電力公司申請一項名為“多饋入?yún)f(xié)同的特高壓直流換相失敗抑制及穩(wěn)定控制方法、裝置、設備及介質(zhì)”的專利，公開號CN121356008A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于電力系統(tǒng)控制領域，具體涉及一種多饋入?yún)f(xié)同的特高壓直流換相失敗抑制及穩(wěn)定控制方法。本發(fā)明方法通過工況分類模型精準識別正常工況與故障工況，利用時序預測模型預測未來多個預設時間點的預測狀態(tài)向量和第一預測關斷角，提前掌握系統(tǒng)狀態(tài)變化趨勢，為換相失敗的預防和抑制爭取時間，根據(jù)預測狀態(tài)向量對應的工況類別信息，確定目標起始狀態(tài)向量和目標終止狀態(tài)向量，根據(jù)這期間的預測狀態(tài)向量和第一預測關斷角確定目標優(yōu)化損失，并更新參考調(diào)制參數(shù)，實現(xiàn)了對調(diào)制參數(shù)的動態(tài)優(yōu)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，國網(wǎng)上海市電力公司申請一項名為“考慮V2G充電樁無功需求響應的充電站分層優(yōu)化方法、設備及介質(zhì)”的專利，公開號CN121332587A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種考慮V2G充電樁無功需求響應的充電站分層優(yōu)化方法、設備及介質(zhì)，將充電需求輸入電動汽車分組模型中得到若干分組，在上層優(yōu)化模型中以充電成本最小化為目標進行求解，得到最優(yōu)充放電功率和無功功率范圍；在下層優(yōu)化模型中以配電網(wǎng)節(jié)點整體電壓偏差最小為目標進行求解，得到各充電站的無功補償量，再根據(jù)上層優(yōu)化模型得到的最優(yōu)充放電功率，計算配電網(wǎng)節(jié)點電壓變化狀態(tài)方程，進行電壓變化預測。通過V2G充電樁的剩余容量對充電站所在的配電網(wǎng)節(jié)點進行無功補償，提高配電網(wǎng)整體電壓質(zhì)量。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有協(xié)同性高

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華北電力大學;國網(wǎng)福建省電力有限公司電力科學研究院;國網(wǎng)福建省電力有限公司申請一項名為“一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置”的專利，公開號CN121355892A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本申請公開了一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置，涉及新能源并網(wǎng)技術(shù)領域，該方法包括計算直流送出系統(tǒng)的送端交流母線的直流電流可行域，在換相失敗情況下，在所述直流電流可行域的約束下，輸出直流電流指令；所述直流送出系統(tǒng)包括換相失敗情況和正常工況兩種情況；構(gòu)建新能源二階滑模無功控制策略；在換相失敗情況下，采用所述新能源二階滑模無功控制策略對所述新能源并網(wǎng)逆變器的電流分量、直流側(cè)電壓和無功功率指令值進行控制，本申請可降低了送端的無功冗余，抑制了

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，芯瞳半導體技術(shù)（廈門）有限公司申請一項名為“多核芯片的操作方法、設計方法及多核芯片”的專利，公開號CN121351726A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導體設計與制造的技術(shù)領域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設計方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個計算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時，配置計算核心內(nèi)的控制寄存器關閉第一邏輯分組，同時保持計算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運行狀態(tài)，不影響計算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

高壓放大器在半導體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設備產(chǎn)生的微弱控制信號精準放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應力，加速芯片老化，以評估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅(qū)動（MEMS傳感器）：驅(qū)動微機電系統(tǒng)中的壓電元件，實現(xiàn)精密運動或傳感。需求：能夠驅(qū)動容性負載、高輸出電流（峰值可達百mA級）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試：為

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘栆约靶盘栠x擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?；根?jù)第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模