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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華北電力大學;國網(wǎng)福建省電力有限公司電力科學研究院;國網(wǎng)福建省電力有限公司申請一項名為“一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置”的專利，公開號CN121355892A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本申請公開了一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置，涉及新能源并網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括計算直流送出系統(tǒng)的送端交流母線的直流電流可行域，在換相失敗情況下，在所述直流電流可行域的約束下，輸出直流電流指令；所述直流送出系統(tǒng)包括換相失敗情況和正常工況兩種情況；構(gòu)建新能源二階滑模無功控制策略；在換相失敗情況下，采用所述新能源二階滑模無功控制策略對所述新能源并網(wǎng)逆變器的電流分量、直流側(cè)電壓和無功功率指令值進行控制，本申請可降低了送端的無功冗余，抑制了

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，芯瞳半導體技術(shù)（廈門）有限公司申請一項名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計方法及多核芯片”的專利，公開號CN121351726A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導體設(shè)計與制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個計算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時，配置計算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組，同時保持計算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運行狀態(tài)，不影響計算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

高壓放大器在半導體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號精準放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關(guān)鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應力，加速芯片老化，以評估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅(qū)動（MEMS傳感器）：驅(qū)動微機電系統(tǒng)中的壓電元件，實現(xiàn)精密運動或傳感。需求：能夠驅(qū)動容性負載、高輸出電流（峰值可達百mA級）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試：為

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘栆约靶盘栠x擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?；根?jù)第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模