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1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專利，公開號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過管腳連接線連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專利，公開號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號(hào)選擇模

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，良信電器（海鹽）有限公司、上海良信電器股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種負(fù)荷開關(guān)及電表”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223771023U，申請(qǐng)日期為2024年12月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及低壓電器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種負(fù)荷開關(guān)及電表，包括安裝殼體、電磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)以及觸頭組件；電磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)與觸頭組件在安裝殼體內(nèi)沿第一方向排布且相互靠近；觸頭組件包括動(dòng)觸頭以及靜觸頭；轉(zhuǎn)動(dòng)銜鐵組件與動(dòng)觸頭一端連接，電磁線圈通過轉(zhuǎn)動(dòng)銜鐵組件帶動(dòng)動(dòng)觸頭旋轉(zhuǎn)，以使動(dòng)觸頭另一端與靜觸頭分合閘；動(dòng)觸頭與靜觸頭具有至少一個(gè)合閘位置，電磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)沿第一方向的投影覆蓋所述合閘位置。本申請(qǐng)通過對(duì)負(fù)荷開關(guān)結(jié)構(gòu)布局的改進(jìn)，能夠有效縮小負(fù)荷開關(guān)的體積，有利于實(shí)現(xiàn)負(fù)荷開關(guān)的小型化設(shè)計(jì)。天眼查資料顯示，良信電器（海鹽）有限公司

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中國(guó)電氣裝備集團(tuán)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“高壓開關(guān)設(shè)計(jì)圖紙的多模態(tài)分割方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)”的專利，公開號(hào)CN120997510A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高壓開關(guān)設(shè)計(jì)圖紙的多模態(tài)分割方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。該方法包括：響應(yīng)于高壓開關(guān)設(shè)計(jì)圖紙的多模態(tài)分割事件被觸發(fā)，獲取輸變電裝備的高壓開關(guān)的CAD文件；確定CAD文件所涉及的CAD圖元信息及CAD文件對(duì)應(yīng)的CAD圖像；將CAD圖元信息及CAD圖像輸入預(yù)先訓(xùn)練的多模態(tài)分割模型，獲取CAD圖像對(duì)應(yīng)的目標(biāo)分割圖像；其中，多模態(tài)分割模型為基于跨模態(tài)注意力機(jī)制對(duì)CAD圖像中的多尺度紋理特征及CAD圖元信息的幾何特征進(jìn)行融合的分割模型。本方案通過融合圖紙圖像的全局紋理信息與CAD圖元的標(biāo)準(zhǔn)化幾何數(shù)據(jù)，

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項(xiàng)名為“智能電子開關(guān)、集成電路芯片、芯片產(chǎn)品和汽車”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN118449503B，申請(qǐng)日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本2848.2982萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對(duì)外投資了5家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目4次，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息21條，專利信息111條，此外企業(yè)還擁有行政許可18個(gè)。聲明：市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個(gè)人投資建議。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開關(guān)管的保護(hù)電路和芯片”的專利，公開號(hào)CN121261684A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種開關(guān)管的保護(hù)電路和芯片，包括第一開關(guān)管、開通電路和控制電路；第一開關(guān)管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開通電路的一端與驅(qū)動(dòng)芯片連接，另一端與第一開關(guān)管的控制端連接，用于接收驅(qū)動(dòng)芯片輸出的驅(qū)動(dòng)電壓，并向第一開關(guān)管的控制端輸出驅(qū)動(dòng)電壓；開通電路包括電阻調(diào)節(jié)模塊；控制電路分別與電阻調(diào)節(jié)模塊和第一開關(guān)管的控制端連接，用于調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值。本發(fā)明實(shí)施例通過控制電路，根據(jù)第一開關(guān)管的控制端與輸出端之間的電壓來調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開關(guān)管的控制端基于供

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“光開關(guān)和硅光芯片”的專利，公開號(hào)CN121299841A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光開關(guān)和硅光芯片，光開關(guān)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)并列設(shè)置；第二波導(dǎo)包括主體和設(shè)置在主體中的第一縫隙；第一波導(dǎo)由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數(shù)大于第二材料的熱光系數(shù)；沿光傳播方向，光開關(guān)依次設(shè)置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)，輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設(shè)置在第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)上；在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第一波導(dǎo)的寬度為450納米，在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第二波導(dǎo)寬度為600納米。本發(fā)明在實(shí)現(xiàn)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海零邊界集成電路有限公司;珠海格力電器股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種智能功率模塊和一種芯片”的專利，公開號(hào)CN121283227A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種智能功率模塊和一種芯片，該智能功率模塊包括：逆變模塊和功率因數(shù)校正模塊(PFC模塊)。逆變模塊中，第一、第二反向?qū)ń^緣柵器件的控制端分別與第一、第二集成電路連接，實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)信號(hào)的短路徑、低延遲傳輸，提高了開關(guān)動(dòng)作的精確性和可靠性。PFC模塊為逆變模塊提供更穩(wěn)定、更高電壓的直流母線，使逆變模塊工作在更優(yōu)的電壓區(qū)間。逆變模塊和PFC模塊的關(guān)鍵器件之間采用直接連接方式，減少了外部走線，有助于減少電磁干擾。將逆變模塊和PFC模塊集成在同一個(gè)封裝內(nèi)，減少了外部連接和分立元器件的數(shù)量，