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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安克創(chuàng)新科技股份有限公司取得一項(xiàng)名為“電源電路及電源設(shè)備”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223829086U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開了電源電路及電源設(shè)備，該電源電路包括第一電池模塊和至少一個(gè)第二電池模塊；第一電池模塊包括第一電池和第一充放電開關(guān)單元以及第一并機(jī)端，第一電池和第一充放電開關(guān)單元連接；第二電池模塊包括第二電池、第二充放電開關(guān)單元和直流轉(zhuǎn)換電路以及第二并機(jī)端，第二電池的連接第二充放電開關(guān)單元以及直流轉(zhuǎn)換電路，第二充放電開關(guān)單元和直流轉(zhuǎn)換電路并聯(lián)，其中第一電池模塊和至第二電池模塊通過第一并機(jī)端和第二并機(jī)端連接。基于上述方式，在不影響電源電路的供電能力的情況下，降低了電源電路的成本。天眼查資料顯示，安克創(chuàng)新科技股份有限公司，成立于2011年，
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，維沃移動(dòng)通信有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片及芯片控制方法”的專利，公開號(hào)CN121261685A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開了一種芯片及芯片控制方法，該芯片包括：第一開關(guān)，第一開關(guān)的第一端與芯片的輸入端電連接，第一開關(guān)的第二端與芯片的輸出端電連接；第二開關(guān)，上述第二開關(guān)的第一端與輸入端電連接，第二開關(guān)的第二端與芯片的接地平面連接；N個(gè)節(jié)點(diǎn)電容，每個(gè)節(jié)點(diǎn)電容包括相互串聯(lián)的切換開關(guān)和電容，各個(gè)節(jié)點(diǎn)電容、以及第二開關(guān)之間并聯(lián)；控制器，控制器與各個(gè)切換開關(guān)的控制端電連接，初始狀態(tài)下，控制器控制各個(gè)切換開關(guān)斷開，在第一開關(guān)的第一端的第一電壓信號(hào)與第二開關(guān)的第一端的第二電壓信號(hào)之間的差值高于預(yù)設(shè)閾值的情況下，控制器控制目標(biāo)切換開關(guān)導(dǎo)通。天眼查資料顯示，維沃移動(dòng)
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，濟(jì)南晶碩電子有限公司取得一項(xiàng)名為“一種芯片厚度檢測(cè)裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223755989U，申請(qǐng)日期為2025年3月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及芯片厚度檢測(cè)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片厚度檢測(cè)裝置，包括承載座、芯片上下移動(dòng)裝置、對(duì)射式光電開關(guān)以及控制裝置，承載座兩側(cè)上方固定設(shè)有側(cè)梁；芯片上下移動(dòng)裝置用于承載芯片和控制芯片上下移動(dòng)；對(duì)射式光電開關(guān)對(duì)稱設(shè)于芯片上下移動(dòng)裝置兩側(cè)的側(cè)梁上；控制裝置與對(duì)射式光電開關(guān)和芯片上下移動(dòng)裝置電連接，用于根據(jù)芯片上下移動(dòng)裝置移動(dòng)的距離計(jì)算出芯片厚度。本申請(qǐng)的芯片厚度檢測(cè)裝置不需要測(cè)厚儀，利用高精度直線電機(jī)配合高分辨率的對(duì)射式光電開關(guān)或者激光對(duì)射式傳感器完成芯片的厚度檢測(cè)。天眼查資料顯示，濟(jì)南晶碩電子有限公司，成立于2013年，位于
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ES5915-654852長(zhǎng)按1.5秒開關(guān)機(jī)芯片一． 功能說明供電范圍：DC2.0-5.0V。輕觸按鍵輸入兩路信號(hào)同步輸出：OUTH高有效、OUTL低有效。上電OUTL為高電平、OUTH為低電平，長(zhǎng)按KEY鍵 1.5秒，OUTH輸出高電平，OUTL輸出低電平，再次長(zhǎng)按KEY鍵 1.5秒關(guān)機(jī)，OUTH翻轉(zhuǎn)為低電平，OUTL翻轉(zhuǎn)為高電平。二． 電氣參數(shù)（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.0V-5.0V工作電流：1uA靜態(tài)電流：1uA驅(qū)動(dòng)電流低電平輸出：15mA驅(qū)動(dòng)電流高電平輸出：10mA工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度儲(chǔ)存溫度：-25攝氏度-+125攝氏度三． 電路圖參考電源開關(guān)芯片*C2電容可根據(jù)電源實(shí)際需要調(diào)整或省略四． 封裝尺寸圖（SOT23-6）
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海翃視科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片”的專利，公開號(hào)CN121034243A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明揭示了一種硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片，所述硅基液晶芯片包括一像素矩陣，所述像素矩陣具多行多列像素組成，所述硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法通過行信號(hào)以行為單位對(duì)像素矩陣進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且所述硅基液晶芯片包括一列選復(fù)用電路，所述列選復(fù)用電路包括多個(gè)選擇開關(guān)，每一選擇開關(guān)與所述像素矩陣的每一列對(duì)應(yīng)，通過控制上述列選復(fù)用電路的多個(gè)選擇開關(guān)的導(dǎo)通順序而驅(qū)動(dòng)所述像素矩陣對(duì)應(yīng)的列，其中所述列選復(fù)用電路采用輪轉(zhuǎn)方式控制所述多個(gè)選擇開關(guān)的導(dǎo)通順序。天眼查資料顯示，上海翃視科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家
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經(jīng)典一鍵開關(guān)機(jī)電路SOP-8單按鍵長(zhǎng)按1秒延時(shí)芯片國(guó)產(chǎn)復(fù)位芯片方案
EH2916-B8E6 AR開關(guān)芯片一. 功能說明供電方式：DC2.4-5.0V輸入。兩路輸入控制一路輸出。上電OUT為低電平，KEY鍵：長(zhǎng)按1秒開機(jī)，OUT輸出0.5S高電平，同時(shí)7腳KILL開始進(jìn)入檢測(cè)狀態(tài)，如果在OUT輸出的0.5S時(shí)間內(nèi)有高電平輸入到7腳KILL，則OUT繼續(xù)保持高電平輸出。如在0.5S內(nèi)無高電平輸入到7腳KILL，則OUT反轉(zhuǎn)為低電平進(jìn)入關(guān)機(jī)狀態(tài)。OUT輸出高電平過程中，長(zhǎng)按KEY鍵10秒或7腳KILL高電平消失則進(jìn)入關(guān)機(jī)。二． 極限參數(shù)Absolute Maximum Ratings Voltage applied at VDD to VSS ....................- 0.3V to 6.0V Voltage applied at any pin
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24小時(shí)循環(huán)定時(shí)器芯片方案EC241209延時(shí)開關(guān)IC6-18定時(shí)芯片
EC241209-169D-9237是一款專為L(zhǎng)ED照明設(shè)備設(shè)計(jì)的6開18關(guān)循環(huán)定時(shí)芯片，以其高效、穩(wěn)定的性能在蠟燭燈和LED燈串等應(yīng)用中廣受歡迎。該芯片采用SOT23-6小封裝，體積小巧，便于集成到各種緊湊型照明設(shè)備中。其核心功能是上電后自動(dòng)進(jìn)入6小時(shí)開啟、18小時(shí)關(guān)閉的24小時(shí)循環(huán)工作模式，三路LED同步輸出電平信號(hào)常亮，為照明設(shè)備提供可靠的定時(shí)控制。在電氣參數(shù)方面，EC241209-169D-9237的工作電壓范圍為2.4V至5V，典型工作電壓為5V時(shí)，工作電流僅為0.5mA，顯示出優(yōu)異的低功耗特性。其驅(qū)動(dòng)電流分為兩檔，分別為30mA和20mA，能夠滿足不同LED負(fù)載的需求。工作溫度范圍為-10℃至+60℃，儲(chǔ)存溫度范圍為-20℃至+100℃，確保了芯片在各類環(huán)境條件下的穩(wěn)定性和可靠性
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州明義微電子技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“GaN芯片的多柵極分布式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)及開關(guān)電路單元”的專利，公開號(hào)CN121461958A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種GaN芯片的多柵極分布式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)及開關(guān)電路單元。該GaN芯片的多柵極分布式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)包括GaN HEMT模塊及與所述GaN HEMT模塊連接的驅(qū)動(dòng)模塊，GaN HEMT模塊具有多個(gè)柵極，并且多個(gè)柵極沿平行于GaN HEMT模塊表面的方向間隔分布，其中每一柵極分別與驅(qū)動(dòng)模塊電連接。通過多個(gè)柵極可以使GaN HEMT模塊的近端、遠(yuǎn)端同時(shí)接收到驅(qū)動(dòng)信號(hào)，有效降低傳輸時(shí)延，從而顯著提高了芯片開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗。天眼查資料顯示，蘇州明義微電子技術(shù)有限公司，成立于2022年，位于蘇州市，是一家
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，佛山市伊戈?duì)栯娮佑邢薰?吉安伊戈?duì)栯姎庥邢薰旧暾?qǐng)一項(xiàng)名為“一種快速啟動(dòng)開關(guān)電源”的專利，公開號(hào)CN121308528A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種快速啟動(dòng)開關(guān)電源，變壓器T1的一次側(cè)設(shè)有輔助繞組，輔助繞組設(shè)有第一分接頭和第二分接頭，第一分接頭的輸出電壓比第二分接頭的輸出電壓大；線性穩(wěn)壓模塊的第一端電連接于第一分接頭，供電切換模塊的輸入端電連接于第二分接頭；快速啟動(dòng)整流橋電路的MOS管Q2的源極、控制芯片U1的電源端和供電切換模塊的輸出端均與線性穩(wěn)壓模塊的第二端電連接；當(dāng)?shù)诙纸宇^的輸出電壓大于線性穩(wěn)壓模塊的穩(wěn)壓值時(shí)，線性穩(wěn)壓模塊斷開及供電切換模塊導(dǎo)通，否則兩者狀態(tài)相反，且當(dāng)兩者任一導(dǎo)通時(shí)，MOS管Q2斷開；解決
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市德蘭明海新能源股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“保護(hù)電路和開關(guān)輔源電路”的專利，公開號(hào)CN 121012320 A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及一種保護(hù)電路和開關(guān)輔源電路。應(yīng)用于電源控制芯片，包括：第一采樣模塊，用于采樣輸入電壓；開關(guān)控制模塊，其輸入端連接第一采樣模塊，其輸出端連接電源控制芯片；接至輸入電壓的第二采樣模塊，第二采樣模塊連接電源控制芯片；當(dāng)?shù)谝徊蓸幽K采樣的電壓大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，第一采樣模塊用于控制開關(guān)控制模塊的輸出端截?cái)嗯c電源控制芯片的輸出通道，第二采樣模塊用于采樣輸入電壓以提供工作電壓至電源控制芯片；當(dāng)?shù)谝徊蓸幽K采樣的電壓小于或者等于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，第一采樣模塊用于控制開關(guān)控制模塊的輸出端輸出掉電信號(hào)至電源控制芯片，第二采樣模塊還用于
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