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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇谷泰微電子有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種基于薄柵管的高壓開(kāi)關(guān)控制電路”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121036741A，申請(qǐng)日期為2025年7月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種基于薄柵管的高壓開(kāi)關(guān)控制電路包括PMOS柵極驅(qū)動(dòng)電路、NMOS柵極驅(qū)動(dòng)電路和核心高壓開(kāi)關(guān)電路；所述核心高壓開(kāi)關(guān)電路包括PMOS路徑電路和NMOS路徑電路；所述PMOS柵極驅(qū)動(dòng)電路的采集端采集PMOS路徑電路中的輸入電壓，PMOS柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出端電性連接PMOS路徑電路的控制端，輸出PMOS_CTL信號(hào)控制PMOS路徑電路的導(dǎo)通和關(guān)斷；所述NMOS柵極驅(qū)動(dòng)電路的采集端采集NMOS路徑電路中的輸入電壓，NMOS柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出端電性連接NMOS路徑電路的控制端，輸出NMOS_CTL信號(hào)控制NMOS路徑電

EH5304-2704-2F9F 10分鐘開(kāi)30分鐘關(guān)循環(huán)定時(shí)芯片一． 功能說(shuō)明供電方式：DC5V；輕觸按鍵輸入，兩路LED同步輸出：1路高有效、1路低有效；上電工作，兩路LED同步亮10分鐘后，轉(zhuǎn)為低電平30分鐘滅，亮10分鐘-滅30分鐘依次循環(huán)。中途短按一下按鍵，關(guān)閉LED并停止計(jì)時(shí)。再短按一下按鍵開(kāi)啟LED，重新循環(huán)定時(shí)。二． 電氣參數(shù)（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.4V-5.0V;工作電流：0.3mA；靜態(tài)電流：2uA；驅(qū)動(dòng)電流：20mA；驅(qū)動(dòng)電流：20mA；工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度；儲(chǔ)存溫度：-20攝氏度-+100攝氏度；三． 電路圖參考循環(huán)定時(shí)芯片*C2電容可跟進(jìn)電源實(shí)際需要調(diào)整或省略、四． 封裝尺寸圖（SOT23-6）循環(huán)定時(shí)器芯片五． 版本說(shuō)明

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121530358A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專(zhuān)利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備，其中開(kāi)關(guān)電路包括：功率管，所述功率管的輸入端與芯片的外部電源連接，所述功率管的輸出端與芯片內(nèi)的負(fù)載單元連接；多個(gè)放電電路，所述放電電路包括放電單元和檢測(cè)單元，所述放電單元的輸入端與所述功率管的控制端連接，所述檢測(cè)單元輸出端與所述放電單元的控制端連接；所述檢測(cè)單元檢測(cè)到預(yù)定的電路異常時(shí)，向所述放電單元的控制端輸出控制信號(hào)，控制所述放電單元按照設(shè)定的放電模式對(duì)所述功率管的控制端進(jìn)行放電；多個(gè)所述放電電路中，至少兩個(gè)所述放電電路通過(guò)所述檢測(cè)單元檢測(cè)的電路異

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市嘉拓微科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN223816409U，申請(qǐng)日期為2025年2月。專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片，涉及電子元件技術(shù)領(lǐng)域。包括塑封外殼，塑封外殼中安裝有引線(xiàn)框架，且引線(xiàn)框架的兩側(cè)設(shè)有引腳，引線(xiàn)框架上設(shè)有焊盤(pán)，且焊盤(pán)上焊接有電源晶片，焊盤(pán)的底部安裝有內(nèi)均熱板，塑封外殼的底部嵌裝有導(dǎo)熱銅片，且導(dǎo)熱銅片的頂部通過(guò)導(dǎo)熱膏與內(nèi)均熱板的底部相貼合。該設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片，在引線(xiàn)框架的焊盤(pán)底部設(shè)置有內(nèi)均熱板，在塑封外殼的頂部設(shè)置有外均熱板，根據(jù)均熱板的散熱特性，其能夠均勻分布電源晶片運(yùn)行時(shí)的熱量，防止局部過(guò)熱，有助于提高電源晶片的安全性和使用壽命，通過(guò)導(dǎo)熱介質(zhì)將熱量傳導(dǎo)至外界環(huán)境中，實(shí)現(xiàn)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種電源芯片測(cè)試方法及裝置”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121324898A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測(cè)試（晶圓測(cè)試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測(cè)試過(guò)程中，通常需要人工連線(xiàn)，由于連線(xiàn)較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線(xiàn)錯(cuò)誤的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測(cè)試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個(gè)測(cè)試針，所述測(cè)試針與待測(cè)晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個(gè)探針，通過(guò)探針與連接單元連接；測(cè)試電路單元，所述測(cè)試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測(cè)試信號(hào)；處理單元，用于根據(jù)所述測(cè)試電路單元發(fā)出的信號(hào)，對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行電壓測(cè)試。本發(fā)明中連接單元直接通過(guò)探針單元與測(cè)試電路單元連接，不再需要

文章由山東中誠(chéng)和潤(rùn)科技發(fā)展有限公司提供在高壓電力系統(tǒng)中，單相接地故障是常見(jiàn)故障類(lèi)型之一。若故障線(xiàn)路無(wú)法及時(shí)準(zhǔn)確識(shí)別，可能引發(fā)系統(tǒng)過(guò)電壓、設(shè)備損壞甚至電網(wǎng)崩潰風(fēng)險(xiǎn)。高壓開(kāi)關(guān)柜接地故障選線(xiàn)裝置作為專(zhuān)門(mén)解決此類(lèi)問(wèn)題的智能設(shè)備，通過(guò)精準(zhǔn)定位故障線(xiàn)路，為電力設(shè)備安全運(yùn)行提供技術(shù)保障，成為現(xiàn)代電網(wǎng)不可或缺的安全防護(hù)工具。該裝置的核心功能是在高壓開(kāi)關(guān)柜發(fā)生單相接地故障時(shí)，快速識(shí)別并選出故障線(xiàn)路。其技術(shù)原理主要基于暫態(tài)信號(hào)分析、零序電流比較及智能算法融合。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生接地故障時(shí)，裝置采集各線(xiàn)路的零序電流、電壓等暫態(tài)信號(hào)，通過(guò)傅里葉變換、小波分析等技術(shù)提取故障特征量，結(jié)合支持向量機(jī)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等智能算法進(jìn)行模式識(shí)別，最終實(shí)現(xiàn)故障線(xiàn)路的精準(zhǔn)定位。相比傳統(tǒng)人工選線(xiàn)方法，該裝置具有響應(yīng)速度快、定位精度高、抗干擾能力強(qiáng)等

在自動(dòng)化設(shè)備高度依賴(lài)精密控制的今天，行程開(kāi)關(guān)的可靠性直接決定了整條產(chǎn)線(xiàn)的“生命線(xiàn)”。然而，傳統(tǒng)行程開(kāi)關(guān)因觸點(diǎn)燒蝕、信號(hào)干擾、結(jié)構(gòu)脆弱等問(wèn)題，常導(dǎo)致設(shè)備頻繁停機(jī)、維修成本高企，甚至引發(fā)連鎖性生產(chǎn)事故。某家電制造企業(yè)的真實(shí)案例令人觸目驚心：因行程開(kāi)關(guān)故障，其注塑機(jī)每月平均停機(jī)4次，單次損失產(chǎn)值超20萬(wàn)元，年累計(jì)損失近千萬(wàn)元！如何打破“故障-停機(jī)-維修”的惡性循環(huán)？KB-5106行程開(kāi)關(guān)以“零停機(jī)”為目標(biāo)，用三大核心技術(shù)重構(gòu)設(shè)備運(yùn)行效率新標(biāo)桿。一、自修復(fù)觸點(diǎn)技術(shù)：告別“觸點(diǎn)燒蝕”引發(fā)的突發(fā)停機(jī)傳統(tǒng)行程開(kāi)關(guān)的金屬觸點(diǎn)在高頻次動(dòng)作中易產(chǎn)生電弧，導(dǎo)致觸點(diǎn)表面氧化、燒蝕，最終引發(fā)接觸不良或信號(hào)中斷。KB-5106創(chuàng)新采用納米銀合金自修復(fù)觸點(diǎn)，通過(guò)以下機(jī)制實(shí)現(xiàn)“越用越穩(wěn)定”：用戶(hù)實(shí)證：某汽車(chē)零部件廠(chǎng)商的沖壓

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，武漢中直電氣股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種基于零電壓軟開(kāi)關(guān)雙向DC-DC變換器”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121356350A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明涉及直流DC?DC變換技術(shù)領(lǐng)域，且公開(kāi)了一種基于零電壓軟開(kāi)關(guān)雙向DC?DC變換器，包括：高壓側(cè)全橋電路，所述高壓側(cè)全橋電路由四個(gè)高壓開(kāi)關(guān)管S1～S4、對(duì)應(yīng)開(kāi)關(guān)管的體二極管D1～D4及結(jié)電容C1～C4組成，所述高壓側(cè)全橋電路的輸出端并聯(lián)有高壓側(cè)濾波電容Ch，用于穩(wěn)定高壓側(cè)電壓Uh，低壓側(cè)全橋電路，所述低壓側(cè)全橋電路由四個(gè)低壓開(kāi)關(guān)管S5～S8、對(duì)應(yīng)開(kāi)關(guān)管的體二極管D5～D8及結(jié)電容C5～C8組成。該基于零電壓軟開(kāi)關(guān)雙向DC?DC變換器，通過(guò)諧振網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)全橋開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)通與關(guān)斷，顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，尤其在高

超高壓大功率放大器是一種能夠提供極高電壓和高功率輸出的設(shè)備，它在各種科學(xué)實(shí)驗(yàn)和技術(shù)應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這種設(shè)備不僅能夠提供穩(wěn)定的電壓和功率輸出，還能精確控制實(shí)驗(yàn)參數(shù)，從而確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。以下是超高壓大功率放大器能夠進(jìn)行的幾種主要實(shí)驗(yàn)及其詳細(xì)分析。1.高壓放電實(shí)驗(yàn)超高壓大功率放大器在高壓放電實(shí)驗(yàn)中扮演著核心角色。它可以提供足夠的電壓和功率，驅(qū)動(dòng)氣體放電管、閃光燈等器件進(jìn)行放電實(shí)驗(yàn)。這些實(shí)驗(yàn)包括氣體放電研究、等離子體物理實(shí)驗(yàn)和光譜分析等。通過(guò)高壓放大器提供的電壓和功率，可以產(chǎn)生穩(wěn)定而強(qiáng)大的放電效果，從而探索各種物理現(xiàn)象及其背后的機(jī)制。例如，在等離子體物理實(shí)驗(yàn)中，高壓放電可以產(chǎn)生高溫、高密度的等離子體，這對(duì)于研究核聚變、天體物理等領(lǐng)域具有重要意義。2.電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)是另一種

在快充技術(shù)快速發(fā)展的當(dāng)下，英集芯推出的IP6559升降壓SOC芯片，為車(chē)載充電器、快充適配器及智能排插等設(shè)備帶來(lái)了全新的解決方案。這款芯片以其高度集成化的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了單芯片多功能集成，成為大功率快充領(lǐng)域的創(chuàng)新之作。IP6559將升降壓控制器、協(xié)議芯片及路徑NMOS控制功能集成于QFN48封裝（7×7mm）之中，僅需1顆電感和2顆功率MOSFET，便可構(gòu)建完整的100W快充方案。與傳統(tǒng)需要外置十余顆元件的設(shè)計(jì)方案相比，其PCB面積可減少約40%，元件數(shù)量降低約65%，BOM成本下降約32%。這種集成化設(shè)計(jì)不僅簡(jiǎn)化了硬件布局，還通過(guò)減少元件間信號(hào)干擾，提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。在功率管理方面，IP6559展現(xiàn)出強(qiáng)大的適應(yīng)性。它支持3.6V至31V的寬電壓輸入范圍，能夠兼容12V至24V的車(chē)充環(huán)境。其同