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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江英能電子科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)”的專利,公開號(hào)CN121530363A,申請(qǐng)日期為2026年1月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),包括:輸入級(jí)電路,基于輸入信號(hào)的控制為圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端充電或放電;圖騰柱結(jié)構(gòu)電路,輸出預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓,預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓源跟隨圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入電壓;第一比較器,產(chǎn)生第一比較結(jié)果;第二比較器,產(chǎn)生第二比較結(jié)果;上拉電路,受控于第一比較結(jié)果,用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的升高;下拉電路,受控于第二比較結(jié)果,用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的下降;電容,連接在圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)自適應(yīng)外置功率管的輸入電容,改善外置功率管開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的EMI問(wèn)題,工作效率高且
查看 >>2026-03-04
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,河南平芝高壓開關(guān)有限公司取得一項(xiàng)名為“一種斷路器裝配工裝”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN223927252U,申請(qǐng)日期為2024年12月。專利摘要顯示,本實(shí)用新型提供了一種斷路器裝配工裝,屬于專門適用于制造電開關(guān)的專用設(shè)備或方法技術(shù)領(lǐng)域。斷路器裝配工裝包括底座,底座上裝有支撐板,支撐板用于支撐其中一個(gè)法蘭且支撐板上設(shè)有用于使法蘭與支撐板同軸的第一定位結(jié)構(gòu),底座上固定有導(dǎo)桿,導(dǎo)桿上安裝有活動(dòng)件,活動(dòng)件上裝有定位板,定位板上設(shè)有用于對(duì)另外一個(gè)法蘭進(jìn)行定位以使法蘭與定位板同軸的第二定位結(jié)構(gòu),支撐板相對(duì)底座的水平位置可調(diào)或/和定位板相對(duì)活動(dòng)件的水平位置可調(diào),支撐板或底座上以及定位板或活動(dòng)件上設(shè)有用于使支撐板和定位板同軸的第三定位結(jié)構(gòu)。通過(guò)本實(shí)用新型的裝配工裝可以間接定位固定部法蘭和可
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,西安西電高壓開關(guān)有限責(zé)任公司、中國(guó)西電電氣股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種密封端子板氣密性檢測(cè)裝置”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN223925947U,申請(qǐng)日期為2025年4月。專利摘要顯示,本實(shí)用新型涉及領(lǐng)域,尤其涉及一種密封端子板氣密性檢測(cè)裝置,包括上部密封結(jié)構(gòu)、下部密封結(jié)構(gòu)、上注氣管路和下注氣管路;上部密封結(jié)構(gòu)包括上外部套筒和布置于上外部套筒中多個(gè)上內(nèi)部套筒;下部密封結(jié)構(gòu)包括下外部套筒和布置于下外部套筒中的多個(gè)下內(nèi)部套筒;待測(cè)密封端子板懸空水平放置于下內(nèi)部套筒中,下內(nèi)部套筒與上內(nèi)部套筒配合壓緊待測(cè)密封端子板;下注氣管路的一端與外部汽源連通,另一端與下密封外部腔體、多個(gè)下內(nèi)部套筒連通。本實(shí)用新型中上下密封結(jié)構(gòu)通過(guò)外部套筒與內(nèi)部套筒形成雙重密封腔體,結(jié)合上下注氣管路獨(dú)立供氣,
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高壓放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色,它將測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓,以滿足各種嚴(yán)苛的測(cè)試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測(cè)試場(chǎng)景中的具體作用以及需求。介電擊穿測(cè)試:對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高(可達(dá)±20kV)的直流或掃描電壓,分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求:高輸出電壓、低噪聲(<100μVrms)、精確的電壓控制。芯片老化測(cè)試(如功率器件):施加高于正常工作電壓的應(yīng)力,加速芯片老化,以評(píng)估其長(zhǎng)期可靠性。需求:高電壓/電流輸出、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、良好的過(guò)溫與過(guò)流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)(MEMS傳感器):驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件,實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求:能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流(峰值可達(dá)百mA級(jí))、四象限輸出。晶體管參數(shù)測(cè)試:為
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市杰和科技發(fā)展有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“POP音消除電路”的專利,公開號(hào)CN121442247A,申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種POP音消除電路,電路包括信號(hào)源輸出端、控制線路、音頻芯片及音頻輸出設(shè)備,控制線路的第一端與信號(hào)源輸出端連接,控制線路的第二端分別與音頻芯片及音頻輸出設(shè)備連接;控制線路包括驅(qū)動(dòng)控制電路及音頻輸出電路,驅(qū)動(dòng)控制電路包括至少一個(gè)PMOS管,音頻輸出電路包括至少一個(gè)NMOS管,PMOS管的柵極作為控制線路的第一端,PMOS管的漏極接地,PMOS管的源極同時(shí)與第一供電端及NMOS管的柵極連接,NMOS管的源極接地,NMOS管的漏極作為控制線路的第二端。本發(fā)明的POP音消除電路通過(guò)PMOS管與NMOS管的協(xié)同控制,精準(zhǔn)避開開
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