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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東省崧盛電源技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“一種快速檢測(cè)VCC掉電的控制電路及開(kāi)關(guān)電源”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN223758163U，申請(qǐng)日期為2024年12月。專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及一種快速檢測(cè)VCC掉電的控制電路及開(kāi)關(guān)電源，包括：供電輔助源、掉電檢測(cè)模塊以及信號(hào)處理模塊；掉電檢測(cè)模塊的檢測(cè)端與供電輔助源連接，掉電檢測(cè)模塊的輸出端與信號(hào)處理模塊的檢測(cè)端連接；供電輔助源用于產(chǎn)生VCC供電信號(hào)；掉電檢測(cè)模塊用于對(duì)VCC供電信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，并輸出VCC檢測(cè)信號(hào)；信號(hào)處理模塊用于接收VCC檢測(cè)信號(hào)并基于VCC檢測(cè)信號(hào)檢測(cè)VCC供電信號(hào)的狀態(tài)。本實(shí)用新型在不需要開(kāi)關(guān)管、或者比較器等檢測(cè)器件的條件下，即可實(shí)現(xiàn)對(duì)VCC供電信號(hào)掉電進(jìn)行快速檢測(cè)，線路簡(jiǎn)單，成本低，功耗低，且穩(wěn)定性好。

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門(mén) ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤(pán)中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過(guò)管腳連接線連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類(lèi)型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過(guò)待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過(guò)AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門(mén)ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤(pán)中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類(lèi)型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類(lèi)型，控制信號(hào)選擇模

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，寧波天智電氣科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“用于環(huán)保電氣柜的負(fù)荷開(kāi)關(guān)及其控制方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121306852A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供一種用于環(huán)保電氣柜的負(fù)荷開(kāi)關(guān)及其控制方法，該用于環(huán)保電氣柜的負(fù)荷開(kāi)關(guān)包括殼體以及三個(gè)導(dǎo)電回路；每個(gè)導(dǎo)電回路均包括母線排、真空滅弧室、出線座和導(dǎo)電閘板組件；每個(gè)真空滅弧室的進(jìn)線端均與對(duì)應(yīng)的母線排固定，每個(gè)真空滅弧室的出線端上均轉(zhuǎn)動(dòng)連接有活動(dòng)觸頭，每個(gè)母線排均設(shè)置有延伸段，每個(gè)延伸段均延伸至對(duì)應(yīng)活動(dòng)觸頭的一側(cè)并固定有靜觸頭；負(fù)荷開(kāi)關(guān)還包括由絕緣材料制成的轉(zhuǎn)軸，三個(gè)導(dǎo)電閘板組件均套接固定在轉(zhuǎn)軸上并沿轉(zhuǎn)軸的軸向方向間隔分布；導(dǎo)電閘板組件的寬度大于靜觸頭與活動(dòng)觸頭之間的最小間隙；該控制方法包括合閘方法和分閘方法；

一、核心參數(shù)額定電壓：交流額定工作電壓：380V（50Hz）直流額定工作電壓：至220V觸點(diǎn)配置：開(kāi)關(guān)腔內(nèi)裝有兩個(gè)接觸組，通過(guò)操動(dòng)臂轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)轉(zhuǎn)軸上的凸輪，實(shí)現(xiàn)觸頭通斷。防護(hù)等級(jí)：防護(hù)等級(jí)達(dá)到IP55，防塵防水，適應(yīng)惡劣工業(yè)環(huán)境。操作頻率：最高操作頻率可達(dá)1200次/小時(shí)，滿(mǎn)足高頻次操作需求。壽命：電壽命：30萬(wàn)次機(jī)械壽命：150萬(wàn)次復(fù)位方式：提供自動(dòng)復(fù)位式和非自動(dòng)復(fù)位式兩種選擇，滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。二、技術(shù)優(yōu)勢(shì)高精度與穩(wěn)定性：采用機(jī)械觸點(diǎn)動(dòng)作方式，動(dòng)作準(zhǔn)確可靠，滿(mǎn)足高精度控制需求。寬電壓范圍：支持交流和直流多種電壓規(guī)格，適應(yīng)不同電氣環(huán)境的需求。長(zhǎng)壽命與低維護(hù)：電壽命和機(jī)械壽命長(zhǎng)，減少更換頻率，降低維護(hù)成本。高防護(hù)等級(jí)：防護(hù)等級(jí)達(dá)到IP55，防塵防水，適應(yīng)惡劣工業(yè)環(huán)境。lx205-1限位開(kāi)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項(xiàng)名為“智能電子開(kāi)關(guān)、集成電路芯片、芯片產(chǎn)品和汽車(chē)”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN118449503B，申請(qǐng)日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本2848.2982萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對(duì)外投資了5家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目4次，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息21條，專(zhuān)利信息111條，此外企業(yè)還擁有行政許可18個(gè)。聲明：市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個(gè)人投資建議。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開(kāi)關(guān)管的保護(hù)電路和芯片”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121261684A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種開(kāi)關(guān)管的保護(hù)電路和芯片，包括第一開(kāi)關(guān)管、開(kāi)通電路和控制電路；第一開(kāi)關(guān)管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開(kāi)通電路的一端與驅(qū)動(dòng)芯片連接，另一端與第一開(kāi)關(guān)管的控制端連接，用于接收驅(qū)動(dòng)芯片輸出的驅(qū)動(dòng)電壓，并向第一開(kāi)關(guān)管的控制端輸出驅(qū)動(dòng)電壓；開(kāi)通電路包括電阻調(diào)節(jié)模塊；控制電路分別與電阻調(diào)節(jié)模塊和第一開(kāi)關(guān)管的控制端連接，用于調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)控制電路，根據(jù)第一開(kāi)關(guān)管的控制端與輸出端之間的電壓來(lái)調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開(kāi)關(guān)管的控制端基于供

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“光開(kāi)關(guān)和硅光芯片”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121299841A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光開(kāi)關(guān)和硅光芯片，光開(kāi)關(guān)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)并列設(shè)置；第二波導(dǎo)包括主體和設(shè)置在主體中的第一縫隙；第一波導(dǎo)由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數(shù)大于第二材料的熱光系數(shù)；沿光傳播方向，光開(kāi)關(guān)依次設(shè)置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)，輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設(shè)置在第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)上；在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第一波導(dǎo)的寬度為450納米，在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第二波導(dǎo)寬度為600納米。本發(fā)明在實(shí)現(xiàn)